Información Básica.
No. de Modelo.
Gallium Nitride Wafer
Paquete de Transporte
Cartons
Origen
China
Código del HS
900190909
Capacidad de Producción
60000 PCS/Month
Descripción de Producto
Plaqueta de nitruro de galio | nitruro de galio (GaN) de silicio (Si) Oblea de epitaxia
La fórmula química GENERAL Al2O3 de la estructura de cristal
El sistema hexagonal ((hk o 1) dimensión a la celda unidad=4.758 Å,c=12.991 Å Å, c:a=2.730
Métrica físico inglés (Imperial) densidad 3,98 g/cc 0.144 lb/pulg3
La dureza Knoop 1525 - 2000, 9 mhos 3700 °F punto de fusión
Plaqueta de nitruro de galio | nitruro de galio (GaN) de silicio (Si) Oblea de epitaxia
Proceso proceso Kyropoulos (KY) para el crecimiento de cristales de zafiro es actualmente utilizado por muchas empresas en China para producir el zafiro de la electrónica y la óptica de las industrias.
De alta pureza, óxido de aluminio se funde en un crisol en más de 2100 grados centígrados. Normalmente el crisol de tungsteno o molibdeno. Una semilla orientado precisamente crystal se sumerge en el fundido de alúmina. La semilla cristal lentamente hacia arriba y pueden girarse de forma simultánea. Precisamente por el control de los gradientes de temperatura, la tasa de tira y la tasa de descenso de temperatura, es posible producir un gran, de un solo cristal, unos lingotes cilíndricos de la fusión.
Tras una sola cristal zafiro bochas crecen, ellos son el núcleo perforado en las varillas cilíndricas, las varillas son cortadas en pedazos en el espesor de la ventana deseada y, finalmente, pulido a la superficie deseada final.
Utilizado como material de la ventana
Zafiro sintético (también conocido como cristal de zafiro) es comúnmente utilizado como material de la ventana, porque es muy transparente para longitudes de onda de luz entre 150 nm (UV) y 5500 nm (IR) (el espectro visible se extiende alrededor de 380 nm a 750 nm y extraordinariamente resistente a arañazos. Las principales ventajas de Windows de zafiro son:
* Muy amplia de la banda de transmisión óptica de infrarrojo cercano a los rayos UV
* Significativamente mayores que otros materiales ópticos o ventanas de vidrio
* Altamente resistente a arañazos y abrasión (9 en la escala de Mohs de minerales calcáreos, la 3ª más sustancia natural junto a moissanite y diamantes)
* Extremadamente alta temperatura de fusión (2030 °C).
Características de un sustrato de zafiro
Una sustancia utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores es un sustrato de zafiro. Para aplicaciones de alta tecnología, su excelente estabilidad térmica la conductividad y convertirlo en el material ideal. Vamos a repasar algunas de las características de obleas de zafiro y GaN el zafiro, en este artículo. También vamos a hablar de la conductividad eléctrica y la estabilidad térmica de obleas de zafiro.
Plano C obleas de zafiro
Es práctica común para producir una amplia brecha de banda III-V y óxido semiconductor de nitruro de películas sobre plano C de obleas de zafiro de materiales. A través del uso de la epitaxia de haz molecular y Metal-Organic de deposición de vapor, también son utilizados para crear obleas epitaxial LED.
El ideal de la rugosidad superficial de obleas de zafiro depende de la temperatura y la orientación de cristal. Plano C zafiro es ideal para aplicaciones exigentes de gran calidad óptica y durabilidad.
La mayor opción es plano C zafiro. Además, esta sustancia es bastante abrasivo. También posee excelentes cualidades químicas y eléctricas.
Materiales para obleas de zafiro plano C vienen en una variedad de espesores y orientaciones. Son perfectos para la producción de semiconductores, por su extrema dureza. Además, tienen baja conductividad térmica y resistencia. Estos materiales, que difieren de otros sustratos en la que también son muy resistente a arañazos, son ventajosas para muchas aplicaciones de microelectrónica.
La demanda de los semiconductores es el principal factor del precio de obleas de zafiro. La necesidad de dispositivos semiconductores de alto rendimiento está creciendo como LED y aumenta el uso del teléfono móvil. Además, el aumento del uso de zafiros en aplicaciones de automoción se prevé para impulsar el crecimiento en el transcurso del periodo de proyección.
Ha sido posible crear células solares y diodos emisores de luz usando C plano de la tecnología de obleas de zafiro. Led' tamaño y peso disminuyen con estos materiales' bajo coeficiente de dilatación térmica, el aislamiento eléctrico, y de gran superficie de la relación de volumen.
El sustrato de silicio heteroepitaxial perfecto para el crecimiento es plano C zafiro. El C-Plane de obleas de zafiro estructura cristalina de materiales" facilita la construcción de silicio nanoestructurados. Mediante la simulación de la computadora, el desarrollo asimétrico de silicio en un sustrato de zafiro puede ser fácilmente solucionado.
Cada cristal plano sufrió el mismo procedimiento diez veces. Además, en comparación con anteriores aviones de cristal, el plano C demostrado mejoró notablemente la calidad de mecanizado. Otros aviones de cristal fueron incapaces de producir el efecto de superficie no destructivo que este procedimiento.
Plaqueta de nitruro de galio | nitruro de galio (GaN) de silicio (Si) Oblea de epitaxia
La fórmula química GENERAL Al2O3 de la estructura de cristal
El sistema hexagonal ((hk o 1) dimensión a la celda unidad=4.758 Å,c=12.991 Å Å, c:a=2.730
Métrica físico inglés (Imperial) densidad 3,98 g/cc 0.144 lb/pulg3
La dureza Knoop 1525 - 2000, 9 mhos 3700 °F punto de fusión
| GENERAL | |||
| Fórmula química | Al2O3 | ||
| La estructura de cristal | El sistema hexagonal ((hk o 1) | ||
| Dimensión de celda unidad | A=4.758 Å,c=12.991 Å Å, c:a=2.730 | ||
| Física | |||
| Métrica | Inglés (Imperial) | ||
| Densidad | 3,98 g/cc | 0.144 lb/pulg3 | |
| La dureza | 1525 - 2000, 9 mhos Knoop | 3700°F | |
| El punto de fusión | 2310 K (2040° C) | ||
| Estructurales | |||
| Fuerza tensil | 275 MPa a 400 MPa | 40,000 a 58,000 psi | |
| A 20° | 400 MPa | 58.000 psi (diseño min.). | |
| A 500°C | 275 MPa | 40.000 psi (diseño min.). | |
| En 1000° C | 355 MPa | 52.000 psi (diseño min.). | |
| Flexión Stength | 480 MPa a 895 MPa | 70.000 a 130.000 psi | |
| Fuerza de compresión | 2.0 GPa (Ultimate) | 300.000 psi (Ultimate) |
Plaqueta de nitruro de galio | nitruro de galio (GaN) de silicio (Si) Oblea de epitaxia
Proceso proceso Kyropoulos (KY) para el crecimiento de cristales de zafiro es actualmente utilizado por muchas empresas en China para producir el zafiro de la electrónica y la óptica de las industrias.
De alta pureza, óxido de aluminio se funde en un crisol en más de 2100 grados centígrados. Normalmente el crisol de tungsteno o molibdeno. Una semilla orientado precisamente crystal se sumerge en el fundido de alúmina. La semilla cristal lentamente hacia arriba y pueden girarse de forma simultánea. Precisamente por el control de los gradientes de temperatura, la tasa de tira y la tasa de descenso de temperatura, es posible producir un gran, de un solo cristal, unos lingotes cilíndricos de la fusión.
Tras una sola cristal zafiro bochas crecen, ellos son el núcleo perforado en las varillas cilíndricas, las varillas son cortadas en pedazos en el espesor de la ventana deseada y, finalmente, pulido a la superficie deseada final.
Utilizado como material de la ventana
Zafiro sintético (también conocido como cristal de zafiro) es comúnmente utilizado como material de la ventana, porque es muy transparente para longitudes de onda de luz entre 150 nm (UV) y 5500 nm (IR) (el espectro visible se extiende alrededor de 380 nm a 750 nm y extraordinariamente resistente a arañazos. Las principales ventajas de Windows de zafiro son:
* Muy amplia de la banda de transmisión óptica de infrarrojo cercano a los rayos UV
* Significativamente mayores que otros materiales ópticos o ventanas de vidrio
* Altamente resistente a arañazos y abrasión (9 en la escala de Mohs de minerales calcáreos, la 3ª más sustancia natural junto a moissanite y diamantes)
* Extremadamente alta temperatura de fusión (2030 °C).
Catálogo de obleas de zafiro de stock
| Oblea estándar 2 pulgadas de obleas de zafiro plano C/DSP SSP. 3 pulgadas de obleas de zafiro plano C/DSP SSP. 4 pulgadas de obleas de zafiro plano C/DSP SSP. 6 pulgadas de obleas de zafiro plano C/DSP SSP. | Corte especial Plano de obleas de zafiro (1120) R-avión (1102) de obleas de zafiro M-avión (1010) de obleas de zafiro N-avión (1123) de obleas de zafiro Eje C con un 0,5°~ 4° el resto, hacia el eje o ejes M Orientación personalizada otros |
| Tamaño personalizado 10*10mm de obleas de zafiro 20*20mm de obleas de zafiro Ultra delgado (100um) obleas de zafiro 8 pulgadas de obleas de zafiro | Telas Sapphire de sustrato (PSS) 2 pulgadas plano C PSS 4 pulgadas plano C PSS |
| 2pulg. | DSP de 0,1 mm Eje C/ 0.175mm/0,2 mm/0,3 mm/0,4 mm/0,5 mm/1.0MMT SSP eje C 0.2/0.43mm(DSP&SSP) del eje a eje/M/R-eje 0.43mm |
| 3pulg. | DSP/ SSP eje C 0.43mm/0,5 mm |
| 4Pulg. | Dsp eje c/ 1.0mmssp 0,4 mm 0,5 mm/ 0,5 mm de eje c/0.65mm/1.0mmt |
| 6pulg. | Ssp eje c 1.0mm/ dsp 1.3mmm eje c 0.65mm/ 0,8mm/1.0mmt |
Una sustancia utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores es un sustrato de zafiro. Para aplicaciones de alta tecnología, su excelente estabilidad térmica la conductividad y convertirlo en el material ideal. Vamos a repasar algunas de las características de obleas de zafiro y GaN el zafiro, en este artículo. También vamos a hablar de la conductividad eléctrica y la estabilidad térmica de obleas de zafiro.
Plano C obleas de zafiro
Es práctica común para producir una amplia brecha de banda III-V y óxido semiconductor de nitruro de películas sobre plano C de obleas de zafiro de materiales. A través del uso de la epitaxia de haz molecular y Metal-Organic de deposición de vapor, también son utilizados para crear obleas epitaxial LED.
El ideal de la rugosidad superficial de obleas de zafiro depende de la temperatura y la orientación de cristal. Plano C zafiro es ideal para aplicaciones exigentes de gran calidad óptica y durabilidad.
La mayor opción es plano C zafiro. Además, esta sustancia es bastante abrasivo. También posee excelentes cualidades químicas y eléctricas.
Materiales para obleas de zafiro plano C vienen en una variedad de espesores y orientaciones. Son perfectos para la producción de semiconductores, por su extrema dureza. Además, tienen baja conductividad térmica y resistencia. Estos materiales, que difieren de otros sustratos en la que también son muy resistente a arañazos, son ventajosas para muchas aplicaciones de microelectrónica.
La demanda de los semiconductores es el principal factor del precio de obleas de zafiro. La necesidad de dispositivos semiconductores de alto rendimiento está creciendo como LED y aumenta el uso del teléfono móvil. Además, el aumento del uso de zafiros en aplicaciones de automoción se prevé para impulsar el crecimiento en el transcurso del periodo de proyección.
Ha sido posible crear células solares y diodos emisores de luz usando C plano de la tecnología de obleas de zafiro. Led' tamaño y peso disminuyen con estos materiales' bajo coeficiente de dilatación térmica, el aislamiento eléctrico, y de gran superficie de la relación de volumen.
El sustrato de silicio heteroepitaxial perfecto para el crecimiento es plano C zafiro. El C-Plane de obleas de zafiro estructura cristalina de materiales" facilita la construcción de silicio nanoestructurados. Mediante la simulación de la computadora, el desarrollo asimétrico de silicio en un sustrato de zafiro puede ser fácilmente solucionado.
Cada cristal plano sufrió el mismo procedimiento diez veces. Además, en comparación con anteriores aviones de cristal, el plano C demostrado mejoró notablemente la calidad de mecanizado. Otros aviones de cristal fueron incapaces de producir el efecto de superficie no destructivo que este procedimiento.
Plaqueta de nitruro de galio | nitruro de galio (GaN) de silicio (Si) Oblea de epitaxia